DEFECTS IN CRYSTALS CREATED BY ION BOMBARDMENT : THEORY AND SIMULATION p. C5-1 I. M. TORRENS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973501 AbstractPDF (1.376 MB)
SIMULATION DU BOMBARDEMENT DES MÉTAUX PAR DES IONS LOURDS A GRANDES ÉNERGIES p. C5-9 DANG DINH CUNG DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973502 AbstractPDF (72.83 KB)
SIMULATION PAR BOMBARDEMENT D'IONS Ni+ DE MOYENNE ÉNERGIE DES EFFETS D'IRRADIATION EN PILE DANS LE NICKEL ET LES ACIERS AUSTÉNITIQUES p. C5-11 J. DELAPLACE, N. AZAM, L. LE NAOUR, M. LOTT and C. FICHE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973503 AbstractPDF (2.803 MB)
ÉTUDE DE LA FORMATION DES CAVITÉS DANS LE CUIVRE IRRADIÉ AUX IONS CUIVRE DE 500 keV p. C5-19 L. D. GLOWINSKI, C. FICHE and M. LOTT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973504 AbstractPDF (748.7 KB)
ÉTUDE EN MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE DE DÉFAUTS CRÉÉS DANS LES MÉTAUX PAR IMPLANTATION IONIQUE p. C5-21 M. O. RUAULT, B. JOUFFREY, J. CHAUMONT and H. BERNAS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973505 AbstractPDF (2.718 MB)
RÉSONANCE ÉLECTRONIQUE DE SPIN PAR TRANSMISSION DANS DES ALLIAGES DE CuMn ET AgMn PRÉPARÉS PAR IMPLANTATION p. C5-27 H. HURDEQUINT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973506 AbstractPDF (35.15 KB)
CALCULS NUMÉRIQUES DE PROFILS D'IMPURETÉ ET D'ÉNERGIE DÉPOSÉE PAR IMPLANTATION D'IONS DE MOYENNE ÉNERGIE, COMPARAISON AVEC L'EXPÉRIENCE p. C5-29 J. L. COMBASSON DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973507 AbstractPDF (353.7 KB)
ÉTUDE DE LA RÉPARTITION DES IONS ET DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS PAR INTERFÉROMÉTRIE INFRAROUGE p. C5-35 A. BRELOT, Y. LAGADEC, G. BOLBACH, G. HOROWITZ and G. PELOUS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973508 AbstractPDF (2.368 MB)
DÉTERMINATION DU PROFIL DES PORTEURS LIBRES DANS DU Si IMPLANTÉ PAR RÉFLECTIVITÉ INFRAROUGE p. C5-39 R. BENNACEUR, Y. GEFFROY, C. SEBENNE and M. BALKANSKI DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973509 AbstractPDF (155.7 KB)
ÉTUDE DE LA GUÉRISON DU SILICIUM IMPLANTÉ AU BORE A HAUTE ÉNERGIE PAR MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPÉRATURE p. C5-43 F. RICHOU DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973510 AbstractPDF (1.049 MB)
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ÉTUDE DE LA LACUNE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS IV, III-V ET II-VI PAR UNE MÉTHODE DE LIAISONS FORTES p. C5-61 J. N. DECARPIGNY and M. LANNOO DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973512 AbstractPDF (348.7 KB)
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ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR L'IMPLANTATION DE Zn+ DE 1 MeV p. C5-119 A. GUIVARC'H and H. L'HARIDON DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973523 AbstractPDF (372.9 KB)
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DIFFUSION ACCÉLÉRÉE PAR IRRADIATION DANS LE SILICIUM. ÉTUDE DE LA CINÉTIQUE ET DE LA DISTRIBUTION DES IMPURETÉS p. C5-131 P. BARUCH, M. BOUVATIER, C. PICARD, Y. EPELBOIN, J. MONNIER and B. NETANGE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973525 AbstractPDF (343.8 KB)
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CORRÉLATION ENTRE LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET LES PARAMÈTRES D'IMPLANTATION POUR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFRÉQUENCE p. C5-151 B. PRUNIAUX, J. L. ASSEMAT, M. DELANDRE and J. M. LAGORSSE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973530 AbstractPDF (186.8 KB)
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DIFFUSION ACCÉLÉRÉE. NOUVELLE MÉTHODE D'INVESTIGATION ET APPLICATION AUX DIODES SCHOTTKY HYPERFRÉQUENCE p. C5-161 G. DAMENE, J. L. ASSEMAT, B. PRUNIAUX, J. M. LAGORSSE and A. BRELOT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973532 AbstractPDF (3.093 MB)
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