ÉTUDE DE LA RÉPARTITION DES IONS ET DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS PAR INTERFÉROMÉTRIE INFRAROUGE

Résumé
Des interférences apparaissent dans les spectres de réflectivité infrarouge effectués sur des couches épitaxiées sur des semi-conducteurs fortement dopés. Nous avons approfondi l'étude de ce phénomène sur des couches présentant une interface abrupte (substrats dopés à l'arsenic). Nous avons mis en évidence des interférences dans les spectres de réflectivité d'échantillons implantés (bore et phosphore ; 1-2 MeV ; recuit à 950 °C). Nous avons observé des pièges à électrons créés par implantation - avant recuit - sur des échantillons uniformément dopés (≈ 10¹⁹ e/cm³) et implantés. Nous concluons que l'interférométrie infrarouge est une bonne méthode pour l'étude des inhomogénéités superficielles des semi-conducteurs.

Abstract
Interferences appear in infrared reflectivity spectra observed on epitaxial layers on heavily doped semiconductors. We deepened the study of this phenomenon on layers which have a sharp interface (arsenic doped substrates). We observed interferences in the reflectivity spectra of implanted samples (boron and phosphorus ; 1-2 MeV ; annealed at 950 °C). Electron traps created by implantation have been observed - before annealing - on uniformly doped (≈ 10¹⁹ e/cm³) implanted samples. We conclude that the infrared interferometry is a good method for the study of superficial inhomogeneity of semiconductors.