Issue
J. Phys. Colloques
Volume 34, Number C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
Page(s) C5-61 - C5-66
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973512
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION

J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-61-C5-66

DOI: 10.1051/jphyscol:1973512

ÉTUDE DE LA LACUNE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS IV, III-V ET II-VI PAR UNE MÉTHODE DE LIAISONS FORTES

J. N. DECARPIGNY and M. LANNOO

Physique des Solides Institut Supérieur d'Electronique du Nord 3, rue François-Baës, 59046 Lille Cedex, France


Résumé
L'approximation des liaisons fortes est appliquée à l'étude de l'influence de l'état de charge sur les propriétés de la lacune dans les covalents et les composés III-V et II-VI. Tout d'abord, un modèle moléculaire simple, ne tenant compte que des interactions entre orbitales sp3 pointant l'une vers l'autre est utilisé pour décrire le cristal parfait. Un bon accord est obtenu avec le modèle spectroscopique de Phillips et avec divers résultats expérimentaux. Puis ce modèle est appliqué à la lacune. Les modifications de la distribution de charge autour de celle-ci, ainsi que la variation du niveau associé à l'état lié avec l'état de charge sont décrites. Deux améliorations possibles sont proposées.


Abstract
The charge state dependence of the vacancy is studied, in a tight-binding approximation, in covalent crystals as well as in III-V and II-VI compounds. Firstly, a simple molecular model, which only takes account of the interactions between sp3 orbitals pointing towards each other, is used to describe the perfect crystal. A good agreement is obtained with Phillips' spectroscopic model and with various experimental results. Then, this model is applied to the vacancy. Variations of the charge distribution around it are obtained as well as the charge state dependence of the bound state energy. Two possible improvements are described.