DÉTERMINATION DU PROFIL DES PORTEURS LIBRES DANS DU Si IMPLANTÉ PAR RÉFLECTIVITÉ INFRAROUGE

Résumé
D'après une étude théorique portant sur la propagation d'une onde EM dans un milieu inhomogène, une méthode de calcul a été utilisée pour la détermination du profil de la concentration des porteurs libres dans les semiconducteurs dopés par implantation à partir de la courbe de réflectivité infrarouge. Le profil de la concentration des électrons libres dans du Si implanté au P (2 × 10¹⁶ ions/cm² ; 90 kV) a été approximé par une Gaussienne déformée dont les paramètres ont été déterminés par la comparaison des coefficients de réflectivité expérimental et théorique. La sensibilité de courbe de réflectivité aux différents paramètres de la Gaussienne a été étudiée.

Abstract
The theoretical study of the propagation of an EM wave in inhomogeneous medium has been used for the determination of the profile of the free carriers concentration in semiconductors, with the aid of the infrared reflectivity curve. The doping of the semiconductors is done by implantation. The profile of free carriers in Si implanted with P (2 × 10⁶ ions/cm² ; 90 kV) was approximated by a deformed Gaussian, whose parameters were found by comparison of the experimental and theoretical coefficients of reflectivity. The sensitivity of the reflectivity curve to the different parameters of the Gaussian was investigated.