ÉTUDE PAR MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION IONIQUE DANS DU SILICIUM < III >

Résumé
Des échantillons de silicium ont subi soit une implantation phosphore (30 keV, 10¹⁶ at/cm²) soit des implantations arsenic (50 à 140 keV, dose de l'ordre de 10¹⁵ at/cm²). Dans le cas du phosphore, on observe en microscopie électronique une couche amorphe qui recristallise en épitaxie sur le substrat à 650 °C. Au cours de recuits à plus haute température, la formation et l'évolution de défauts tels que boucles de dislocations et dipôles ont été observées. Dans le cas de l'arsenic, la recristallisation de la couche amorphe s'accompagne d'une formation de micromacles et de défauts divers (boucles, défauts linéaires, ...).

Abstract
Silicon specimens have been implanted either with phosphorous ions (30 keV, 10¹⁶ at/cm²) or with arsenic ions (energies between 30 and 140 keV, doses in the order of 10¹⁵ at/cm²). In the case of phosphorous implantation, an amorphous layer has been observed using electron microscopy. The epitaxial recrystallization of this layer occurs at 650 °C. During annealing at higher temperatures, the formation and evolution of defects such as dislocation loops and dipoles have been observed. In the case of arsenic implantations, the formation of defects such as microtwins, loops, linear defects... takes place during the recrystallization of the amorphous layer.