DIFFUSION ACCÉLÉRÉE. NOUVELLE MÉTHODE D'INVESTIGATION ET APPLICATION AUX DIODES SCHOTTKY HYPERFRÉQUENCE

Résumé
Nous avons étudié l'influence d'implantations d'ions (20 keV-500 keV) à chaud (20 °C-800 °C) sur diverses répartitions d'impuretés (B, P, As, Ga) dans du silicium et du germanium. Les techniques classiques d'analyse se sont révélées insuffisantes. Nous avons donc développé l'interférométrie infrarouge. La méthode - détection optique de la déformation du profil à l'interface couche épitaxiée-substrat - est non destructive et apparaît comme la meilleure pour l'étude des phénomènes de diffusion contrôlée par irradiation. De plus la diffusion à l'interface couche épitaxiée-substrat n'est pas perturbée par la surface du semi-conducteur. Parmi les applications possibles de la diffusion contrôlée par implantation, nous étudions la diminution de la résistance série dans les diodes Schottky hyperfréquence. Nous pensons que la réduction de la dispersion des caractéristiques de ces composants grâce à l'homogénéisation de l'interface couche épitaxiée-substrat est une bonne application de la diffusion accélérée par implantation.

Abstract
We studied the effect of the hot ion implants (energy : 20 keV-500 keV, temperature : 20 °C-800 °C) on various impurity distributions (B, P, As, Ga) in silicon and germanium. Classical investigation techniques were found insufficient. We thus used infrared interferometry. The technique - optical detection of the deformation of the profile at the substrate-epitaxy interface - is non destructive and appears to be the best for the study of enhanced diffusion by ion implantation. Furthermore the diffusion at the substrate-epitaxy interface is not disturbed by the surface of the semiconductor. Among the possible uses of enhanced diffusion by ion implantation, we study the lowering of series resistance in microwave Schottky diodes. We feel that the tightening of the electrical characteristics of these devices by an improved homogeneity of the impurity profile distribution at the substrate-epitaxy interface is a good application of the enhanced diffusion by ion implantation.