HIGH VOLTAGE SWITCHING P-CHANNEL STRUCTURE FOR CMOS ARCHITECTURES

Résumé
On présente ici l'analyse d'une structure à canal p à haut voltage complètement compatible avec toutes les architectures CMOS. Elle met en évidence le rôle critique joué par la couche du "drain extension" sur la prestation électrique du dispositif et par l'épaisseur de l'oxyde de champ périphérique sur la fiabilité du dispositif. Ces résultat sont utiles pour dessiner des dispositifs à haut voltage avec un procès compatible dans une technologie CMOS avancée.

Abstract
An analysis of a P-ch High Voltage structure fully compatible with all CMOS architectures is presented. It points out the critical role played by drain extension layer on electrical device performance, and by the field thick oxide periphery on the device reliability. These results are useful in designing HV process compatible devices in advanced CMOS technology.