| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-757 - C4-760 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884158 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-757-C4-760
DOI: 10.1051/jphyscol:19884158
INFLUENCE OF HYDROGEN RELATED DEFECTS ON THE Qot, Dit BUILD-UP DUE TO STRESS AND ANNEALING IN THE MOS SYSTEM
F. WULF et D. BRÄUNIGHahn-Meitner-Institute Berlin GmbH, Department of Data Processing and Electronics, Glienicker Str. 100, D-1000 Berlin 39, F.R.G.
Résumé
La génération des charges d'oxyde Qot et des états d'interface Dit par "bias temperature stress" (BT-stress) et par irradiation ionisante ainsi que le comportement de rétablissement après le stress ont été étudiés. Le procédé de rétablissement après des stress respectifs ainsi que le processus de génération lors du BT-stress est décrit par la réaction chimique de l'hydrogène dans le Sio2. Le modèle présenté permet d'établir une corrélation entre le BT stress et la sensibilité à l'irradiation. En outre, ce modèle explique le rétablissement inverse, l'effet de l'intensité de la dose et le comportement de rétablissement des Dit en relation à la température.
Abstract
The build-up of oxide charges, Qot, and interface states, Dit, during stress -irradiation or bias temperatures (BT)- as well as the annealing of these defects has been investigated. The post-stress annealing and the degradation process due to BT-stress can be explained by the chemical reaction of the hydrogen in the SiO2. With this new model it becomes possible to describe the correlation of irradiation and BT-stress and moreover the sensitivity of MOS-devices against carrier injection as well as reverse annealing, dose rate effects and the temperature dependent Dit-annealing.