| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-339 - C4-343 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983440 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-339-C4-343
DOI: 10.1051/jphyscol:1983440
C.N.R.S., Laboratoire P.M.T.M., Université Paris-Nord, Avenue J.B. Clément, 93430 Villetaneuse, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-339-C4-343
DOI: 10.1051/jphyscol:1983440
TRANSIENT ELECTRICAL PROPERTIES OF LOW ANGLE TILT BOUNDARIES IN GROWN GERMANIUM BICRYSTALS
A. BroniatowskiC.N.R.S., Laboratoire P.M.T.M., Université Paris-Nord, Avenue J.B. Clément, 93430 Villetaneuse, France
Résumé
Les effets électriques transitoires associés à la capture et à l'émission de porteurs aux niveaux d'interface dans des bicristaux de germanium sont discutés, et comparés à ceux observés pour les dislocations dans les semiconducteurs déformés plastiquement.
Abstract
Transient electrical effects associated with carrier trapping and emission at dislocation walls in grown germanium bicrystals are presented, and compared to those obtained for dislocations in plastically deformed semiconductors.