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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C6, Juin 1989
Beam Injection Assessment of Defects in SemiconductorsInternational Workshop |
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| Page(s) | C6-101 - C6-110 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989609 | |
International Workshop
J. Phys. Colloques 50 (1989) C6-101-C6-110
DOI: 10.1051/jphyscol:1989609
SCANNING-DLTS
O. BREITENSTEINInstitute of Solid State Physics and Electron Microscopy of the Academy of Sciences of the GDR, Weinberg 2, DDR-4050 Halle, D.R.G.
Résumé
DLTS à balayage (SDLTS) est une technique courante de la microscopie électronique à balayage pour la détection des distributions locales des centres à profond niveau. Dans le rapport les fondations physicales de la technique SDLTS sont traitées et les nécessitées de la instrumentation sont discutées. La pratique de mesure est décrit et illustré à l'aide de quelque exemples expérimentais. Finalement les possibilités et limitations de SDLTS sont critiquement revus.
Abstract
Scanning Deep Level Transient Spectroscopy (SDLTS) is a current SEM technique for the detection of the local distribution of deep level centres in semiconductors. The contribution deals with the physical foundations of the SDLTS technique and it discusses the demands on the instrumentation. The measurement practice is described and illustrated by several experimental examples. Finally, the possibilities and limitations of SDLTS are critically reviewed.