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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-63 - C1-73 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982110 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-63-C1-73
DOI: 10.1051/jphyscol:1982110
ELECTRICAL MEASUREMENTS OF THE GRAIN BOUNDARY LEVELS IN SEMICONDUCTORS
A. BroniatowskiC.N.R.S., Laboratoire PMTM, Université Paris-Nord, Avenue J.B. Clément, 93430 Villetaneuse, France
Résumé
Après un rappel des principales caractéristiques du modèle de barrière de potentiel associée aux joints de grains, on décrit les méthodes utilisées pour mesurer la densité et les sections de capture des états d'interface, notamment la technique de spectroscopie capacitive (DLTS). Une revue de résultats récents sur les états associés aux joints de grains dans le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium est également présentée.
Abstract
After recalling the basic features of the grain boundary barrier model, we discuss some of the methods used to measure the density and the capture cross-sections of the interface states, with an emphasis on the transient capacitance technique derived from Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). A review of recent results on the grain boundary states in silicon, germanium and GaAs is given.