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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-329 - C4-337 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983439 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-329-C4-337
DOI: 10.1051/jphyscol:1983439
CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY OF STATES LOCALISED AT DISLOCATIONS
W. Schröter et M. SeibtIV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen and Sonderforschungsbereich 126 Göttingen-Clausthal, Bunsenstrasse 11-15, 3400 Göttingen, F.R.G.
Résumé
Le présent travail est une application de la DLTS aux défauts étendus à multi-électrons et une intérprétation des spectres mesurés en terme de défauts ponctuels. Comme exemple, nous discutons les spectres des états de coeur des dislocations dans le silicium du type n et ceux des images de défauts ponctuels autour des dislocations dans le germanium de type n également. En comparant ces résultats aux calculs théoriques récents, nous concluons à la possibilité d'observation dans le silicium des états de coeur d'une dislocation partielle à 60° incomplètement reconstruite.
Abstract
This work is concerned with deep level transient spectroscopy (DLTS) of extended many-electron defects and a qualitative interpretation of measured spectra as compared to that of point defects. As examples the spectra of dislocation core states in n-type silicon and of point defect clouds surrounding the dislocation in n-type germanium are discussed. From a comparison of these results with recent theoretical calculaticn it is concluded, that in silicon possibly the core states of incompletely reconstructed 60° - partial dislocation have been observed.