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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-213 - C6-216 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979642 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-213-C6-216
DOI: 10.1051/jphyscol:1979642
1 Max-Planck Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart-80, Germany
2 Max-Planck Institut für Festköperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart-80, Germany
3 Siemens AG, Unternehmensbereich Bauelemente, Balanstr. 73, 8000 München 80, Germany
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-213-C6-216
DOI: 10.1051/jphyscol:1979642
OBSERVATION OF INDIVIDUAL MISFIT DISLOCATIONS BY HIGH-VOLTAGE ELECTRON MICROSCOPY
H. Strunk1, W. Hagen2 et B.O. Kolbesen31 Max-Planck Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart-80, Germany
2 Max-Planck Institut für Festköperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart-80, Germany
3 Siemens AG, Unternehmensbereich Bauelemente, Balanstr. 73, 8000 München 80, Germany
Résumé
Les dislocations d'interfaces qui se produisent après épitaxie ou diffusion dans les semiconducteurs sont étudiées par microscopie électronique à haute tension. Les échantillons sont préparés en utilisant une technique d'amincissement sur de grandes surfaces. Les observations ainsi effectuées montrent l'influence de la surface libre et de l'extension latérale des interfaces sur les dislocations.
Abstract
Individual misfit dislocations in epitaxial and diffusional interfaces of semiconducting materials are investigated by high-voltage electron microscopy using large-area thinned specimens. The observations show the particular influence of the surface and of the lateral dimensions of the interface on these misfit dislocations.