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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-89 - C1-94 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982113 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-89-C1-94
DOI: 10.1051/jphyscol:1982113
ELECTRONIC AND STRUCTURAL PROPERTIES OF GRAIN BOUNDARIES IN Cz-GROWN SILICON BICRYSTALS
J. Werner1 et H. Strunk21 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2 Max-Planck-Institut für Metallforschung, Institut für Physik, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 80, F.R.G.
Résumé
Les propriétés électroniques d'un joint de grains à petit angle dans un bicristal de silicium sont étudiées par la technique de conductance de Nicollian et Goetzberger. On trouve une densité d'états continue. La structure cristallographique de ce joint de grains est caractérisée avec un microscope électronique à transmission. Une comparaison des résultats obtenus par ces deux méthodes indépendantes indique que la charge dans le joint de grains est due aux dislocations extrinsèques.
Abstract
The electronic properties of a low angle grain boundary in a silicon bicrystal are investigated by the conductance technique of Nicollian and Goetzberger. A continuous density of states is found. The crystallographic structure of this grain boundary is characterized by transmission electron microscopy. A comparison of results obtained by these two independent methods indicates that the charge in the boundary is caused by extrinsic dislocations.