Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-207 - C6-211
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979641
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-207-C6-211

DOI: 10.1051/jphyscol:1979641

APPLICATION OF DISLOCATION-INDUCED ELECTRIC POTENTIALS IN Si AND Ge

S. Mil'shtein

Department of Physics, Faculty of Natural Sciences, Ben Gurion University, Beer-Sheva, Israel


Résumé
On examine la barrière électrique (DEB) créée par une dislocation dans les semiconducteurs du point de vue de la recherche. En analysant la dépendance de la température du DEB, on obtient des résultats qualitatifs nouveaux sur les niveaux d'énergie dans les dislocations. On propose la possibilité de déterminer la densité des dislocations à l'aide de mesures électriques. Un modèle de dislocation isolée et des circuits monolitiques basés sur elle, sont discutés.


Abstract
Utilization of dislocation electric barrier (DEB) in semiconductors for fundamental research purposes, as well as DEB device application is considered. Analyzing the DEB temperature dependence new qualitative information on dislocation energy states is obtained. Determination of dislocation density by electrical measurements is proposed. Model of single dislocation and monolithic circuits based on it are discussed.