SOME REMARKS TO THE PROBLEM OF THE DISLOCATION LOOPS CREATION IN THE REGION OF INTERFACE

Résumé
Dans ce travail, on discute des conditions de création de boucles de dislocations autour de précipités Ag₂Te-α, dans les cristaux de ZnTe. Les facteurs d'accomodation ont été calculés pour ce type de précipités. A partir de ces calculs, on discute le problème des variations de déformation entre les parties implantées et non implantées de cristaux de Si, après recuit.

Abstract
The aim of this work is discussion on the conditions of dislocation loops created round the Ag₂Te - α in ZnTe crystals. The misfit factor for this kind precipitates has been calculated. On the base of obtained results, the problem of strain changes between implanted and non-implanted parts of Si crystals after annealing process have been discussed.