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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-69 - C5-72 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982509 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-69-C5-72
DOI: 10.1051/jphyscol:1982509
SELF-SUPERSATURATION IN LIQUID PHASE EPITAXY OF InGaAs ON InP : A SIMPLIFIED L.P.E. TECHNIQUE
J.L. Benchimol et M. QuillecCentre National d'Etudes des Télécommunications, PAB/PMS/SPD, 196, Rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Un bain d'indium est placé en contact avec un substrat GaAs à une température constante Tc. On trouve que la phase liquide ainsi constituée est, à Tc, sursaturée. La dépendance de cette sursaturation avec la température et l'orientation cristalline du substrat a été étudiée. Ces résultats ont conduit à une méthode très simple d'épitaxie du composé In.53Ga.47As sur un substrat InP orienté (100).
Abstract
An indium bath was placed in contact with a GaAs seed at a constant temperature Tc. The so-formed liquid phase was found to be supersaturated at Tc. The temperature and seed orientation dependance of this supersaturation were studied. These results lead to a very simple method for epitaxial growth of In.53Ga.47As on (100) InP substrate.