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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-73 - C5-83 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982510 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-73-C5-83
DOI: 10.1051/jphyscol:1982510
LPE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF CADMIUM AND BERYLLIUM DOPED InP AND In.7Ga.3As.6P.4
A. Perronnet, J. Magnabal, D. Sigogne, D. Huet et J. BenoitLaboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France
Résumé
Cet article traite de l'étude des couches épitaxiales de InP et In.7Ga.3As.6P.4 réalisées sur substrat de InP par la technique à deux phases et dopées au beryllium et au cadmium. Après avoir décrit les conditions de croissance propres à l'emploi de ces dopants on analysera les propriétés électriques et optiques de ces couches épitaxiales à la lumière de résultats de mesures de photoluminescence (4,2 K - 300 K) et d'effet Hall (77 K - 300 K). On déterminera les énergies d'ionisation des niveaux accepteurs associés à ces impuretés. On analysera également la variation de la mobilité en fonction du dopage.
Abstract
Properties of cadmium and beryllium doped InP and In.7Ga.3As.6P.4 layers grown by liquid phase epitaxy by the two phase technique will be studied in this paper. Growth conditions related to the use of these dopants will be described. Electrical and optical properties of the grown layers will then be studied from photoluminescence (4.2 K - 300 K) and Hall effect measurements (77 K - 300 K). Ionization energies of the acceptor levels associated to these impurities will be determined. Mobility variation versus doping level will also be studied.