PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF STRAINED SUPERLATTICES STRUCTURES OF InGaAs/GaAs BY MBE

Résumé
Des super réseaux sous-contrainte In_xGa_1-xAs/GaAs ont été épitaxié sur substrat GaAs avec des compositions voisines de x = 0,1, ce qui correspond à un désaccord de maille sans contrainte de +7 - 10^-3. Les structures sont obtenues par jet moléculaire et sont constituées d'une succession de couches alternées de In_xGa_1-xAs (100 Å) et GaAs (200 Å). La caractérisation a été effectuée au moyen de la microscopie électronique, de diffraction X simple et double, de photoluminescence et absorption à basse température. La périodicité peut être mesurée exactement partir de la diffraction X. Le rendement de photoluminescence des couches quantiques est 1 à 2 ordres de grandeurs plus élevé que celui de couches de GaAs épaisses faites dans les mêmes conditions. La spectroscopie d'absorption indique une forte contribution excitonique à basse température dans les puits de InGaAs.

Abstract
Strained superlattices In_xGa_1-xAs/GaAs have been epitaxially grown on GaAs substrates around the composition X = 0.1, which corresponds to a strain free lattice mismatch as large as +7.10^-3. The films, growh by Molecular Beam Epitaxy (MBE), were made of successive alternating layers of In_xGa_1-xAs (100 Å) and GaAs (200 Å). Characterization have been performed by transmission electron microscopy , X ray simple and double diffraction, photoluminescence (P.L.) and absorption at low temperature. Periodicity can be measured with high accuracy frow X ray diffraction profiles. P.L. efficiency of the quantum size InGaAs layers is 1 to 2 orders of magnitude higher than GaAs thick epilayers grown in the same conditions. Absorption spectroscopy shows a strong excitonic contribution in the InGaAs wells.