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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-11 - C5-16 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982502 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-11-C5-16
DOI: 10.1051/jphyscol:1982502
INTERFACE SPINODAL DECOMPOSITION IN LPE InxGa1-xAsyP1-y LATTICE MATCHED TO InP
F. Glas, M.M.J. Treacy, M. Quillec et H. LaunoisCentre National d'Etudes des Télécommunications, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Nous montrons en utilisant un MEBT en modes image et microanalyse X qu'un champ de déplacement quasipériodique et une modulation de composition associée existent dans des couches de InGaAsP épitaxiées sur substrat InP orienté (001). Nous vérifions que cette modulation n'est pas un artefact dû à des effets de canalisation. Le domaine de température et de composition pour lequel la structure quasipériodique est observée est en bon accord avec la prédiction théorique d'une zone d'instabilité spinodale dans la phase solide.
Abstract
We show by STEM imaging and X-ray microanalysis that a quasiperiodic strain field and an associated composition modulation exist in InGaAsP layers LPE-grown on (001) InP. This modulation is checked not to be an artefact due to channelling effects. The composition and temperature range for which the quasiperiodic structure is observed is in good agreement with the theoretical prediction of a spinodal instability zone in the solid phase.