DEFECTS IN CRYSTALS CREATED BY ION BOMBARDMENT : THEORY AND SIMULATION p. C5-1 I. M. TORRENS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973501 RésuméPDF (1.376 MB)
SIMULATION DU BOMBARDEMENT DES MÉTAUX PAR DES IONS LOURDS A GRANDES ÉNERGIES p. C5-9 DANG DINH CUNG DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973502 RésuméPDF (72.83 KB)
SIMULATION PAR BOMBARDEMENT D'IONS Ni+ DE MOYENNE ÉNERGIE DES EFFETS D'IRRADIATION EN PILE DANS LE NICKEL ET LES ACIERS AUSTÉNITIQUES p. C5-11 J. DELAPLACE, N. AZAM, L. LE NAOUR, M. LOTT et C. FICHE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973503 RésuméPDF (2.803 MB)
ÉTUDE DE LA FORMATION DES CAVITÉS DANS LE CUIVRE IRRADIÉ AUX IONS CUIVRE DE 500 keV p. C5-19 L. D. GLOWINSKI, C. FICHE et M. LOTT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973504 RésuméPDF (748.7 KB)
ÉTUDE EN MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE DE DÉFAUTS CRÉÉS DANS LES MÉTAUX PAR IMPLANTATION IONIQUE p. C5-21 M. O. RUAULT, B. JOUFFREY, J. CHAUMONT et H. BERNAS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973505 RésuméPDF (2.718 MB)
RÉSONANCE ÉLECTRONIQUE DE SPIN PAR TRANSMISSION DANS DES ALLIAGES DE CuMn ET AgMn PRÉPARÉS PAR IMPLANTATION p. C5-27 H. HURDEQUINT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973506 RésuméPDF (35.15 KB)
CALCULS NUMÉRIQUES DE PROFILS D'IMPURETÉ ET D'ÉNERGIE DÉPOSÉE PAR IMPLANTATION D'IONS DE MOYENNE ÉNERGIE, COMPARAISON AVEC L'EXPÉRIENCE p. C5-29 J. L. COMBASSON DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973507 RésuméPDF (353.7 KB)
ÉTUDE DE LA RÉPARTITION DES IONS ET DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS PAR INTERFÉROMÉTRIE INFRAROUGE p. C5-35 A. BRELOT, Y. LAGADEC, G. BOLBACH, G. HOROWITZ et G. PELOUS DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973508 RésuméPDF (2.368 MB)
DÉTERMINATION DU PROFIL DES PORTEURS LIBRES DANS DU Si IMPLANTÉ PAR RÉFLECTIVITÉ INFRAROUGE p. C5-39 R. BENNACEUR, Y. GEFFROY, C. SEBENNE et M. BALKANSKI DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973509 RésuméPDF (155.7 KB)
ÉTUDE DE LA GUÉRISON DU SILICIUM IMPLANTÉ AU BORE A HAUTE ÉNERGIE PAR MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPÉRATURE p. C5-43 F. RICHOU DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973510 RésuméPDF (1.049 MB)
PRODUCTION DES DÉFAUTS PAR IRRADIATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS p. C5-49 J. C. BOURGOIN DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973511 RésuméPDF (2.984 MB)
ÉTUDE DE LA LACUNE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS IV, III-V ET II-VI PAR UNE MÉTHODE DE LIAISONS FORTES p. C5-61 J. N. DECARPIGNY et M. LANNOO DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973512 RésuméPDF (348.7 KB)
MÉTHODE DU PIÉGEAGE SELECTIF. ÉTUDE DES DÉFAUTS ET DE LA DIFFUSION p. C5-67 A. BRELOT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973513 RésuméPDF (2.213 MB)
POSSIBILITÉS D'EXPÉRIENCES AU CYCLOTRON DU CNRS A ORLÉANS p. C5-77 Ph. ALBERT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973514 RésuméPDF (43.23 KB)
DÉFAUTS COLLOÏDAUX CARACTÉRISANT LES PARTICULES IMPLANTÉES DANS LES HALOGÉNURES ALCALINS p. C5-79 P. THÉVENARD, J. DAVENAS, A. PEREZ et C. H. S. DUPUY DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973515 RésuméPDF (267.9 KB)
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ÉTUDE PAR MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION IONIQUE DANS DU SILICIUM < III > p. C5-93 R . TRUCHE, M. DUPUY et D. LAFEUILLE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973518 RésuméPDF (2.987 MB)
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LOCALISATION ET CHAMPS HYPERFINS DANS L'ALLIAGE FeYb OBTENU PAR IMPLANTATION. INFLUENCE DES DÉFAUTS p. C5-103 F. ABEL, M. BRUNEAUX, C. COHEN, H. BERNAS, J. CHAUMONT et L. THOME DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973520 RésuméPDF (27.32 KB)
DÉCANALISATION A BASSES TEMPÉRATURES PAR DES DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE FER p. C5-105 J. C. JOUSSET et N. LORENZELLI DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973521 RésuméPDF (1.931 MB)
ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LE ZnTe p. C5-111 A. BONTEMPS, E. LIGEON, J. MARINE et J. C. PFISTER DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973522 RésuméPDF (1.146 MB)
ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR L'IMPLANTATION DE Zn+ DE 1 MeV p. C5-119 A. GUIVARC'H et H. L'HARIDON DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973523 RésuméPDF (372.9 KB)
ACCÉLÉRATION DE DIFFUSION SOUS IRRADIATION IONIQUE p. C5-125 M. BEYELER, C. FICHE et M. LOTT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973524 RésuméPDF (373.8 KB)
DIFFUSION ACCÉLÉRÉE PAR IRRADIATION DANS LE SILICIUM. ÉTUDE DE LA CINÉTIQUE ET DE LA DISTRIBUTION DES IMPURETÉS p. C5-131 P. BARUCH, M. BOUVATIER, C. PICARD, Y. EPELBOIN, J. MONNIER et B. NETANGE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973525 RésuméPDF (343.8 KB)
MIGRATION DES ATOMES DE RADON IMPLANTÉS DANS LES CRISTAUX PAR ÉNERGIE DE RECUL p. C5-137 G. LAMBERT et P. BRISTEAU DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973526 RésuméPDF (84.90 KB)
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CORRÉLATION ENTRE LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET LES PARAMÈTRES D'IMPLANTATION POUR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFRÉQUENCE p. C5-151 B. PRUNIAUX, J. L. ASSEMAT, M. DELANDRE et J. M. LAGORSSE DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973530 RésuméPDF (186.8 KB)
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DIFFUSION ACCÉLÉRÉE. NOUVELLE MÉTHODE D'INVESTIGATION ET APPLICATION AUX DIODES SCHOTTKY HYPERFRÉQUENCE p. C5-161 G. DAMENE, J. L. ASSEMAT, B. PRUNIAUX, J. M. LAGORSSE et A. BRELOT DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973532 RésuméPDF (3.093 MB)
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PROBABILITÉ DE TRANSITION ENTRE NIVEAUX ZEEMAN EN PRÉSENCE D'UNE INTERACTION HYPERFINE ET D'UNE CONTRAINTE CRISTALLINE p. C5-171 P. MIALHE et A. ERBEIA DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973534 RésuméPDF (124.5 KB)
