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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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Page(s) | C4-363 - C4-366 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988475 |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-363-C4-366
DOI: 10.1051/jphyscol:1988475
JFET FOR COMPLETELY DEPLETED HIGH RESISTIVITY SILICON
V. RADEKA1, P. REHAK1, S. RESCIA1, E. GATTI2, A. LONGONI2, M. SAMPIETRO2, G. BERTUCCIO2, P. HOLL3, L. STRUDER3 et J. KEMMER41 Brookhaven Nat. Lab., Upton, NY 11973, U.S.A.
2 Politecnico di Milano, Dipartimento di Elettronica e Centro di Elettronica Quantistica e Strumentazione Elettronica CNR, P.za Leonardo da Vinci 32, I-20133 Milano, Italy
3 Max-Planck-Institut, Fohringer Ring 6, D-8000 München, F.R.G.
4 TU München, 8048 Garching and MBB GmbH, Postfach 801149, D-8000 München 80, F.R.G.
Résumé
On présente le projet d'une nouvelle classe de transistors à effet de champ à jonction JFETs, conçue pour l'intégration sur le wafer à haute resistivité d'un détecteur de radiation complètement en dépletion, et les résultats expérimenteaux obtenus. Ces dispositifs vont rendre possible l'intégration d'un préamplificateur à faible bruit directement sur le détecteur et par conséquent une amélioration de la résolution. Ces nouveaux JFETs ont été projetés pour obtenir un gm/CG de 500 MHz et on a mesuré pour eux un gm/ID de 1/850 mV-1 et un pinch-off de 1.5 V.
Abstract
The design and the experimental results of a new class of JFETs, suitable for integration on the high resistivity wafer of a fully depleted radiation detector, are presented. These devices will make possible the integration of a low noise preamplifier directly on the detector, improving the achievable resolution. The new JFET has a measured gm/ID of 1/850 mV-1, a pinch-off of 1.5V and a designed gm/CG of 500 MHz.