ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-363-C4-366
DOI: 10.1051/jphyscol:1988475

JFET FOR COMPLETELY DEPLETED HIGH RESISTIVITY SILICON

V. RADEKA¹, P. REHAK¹, S. RESCIA¹, E. GATTI², A. LONGONI², M. SAMPIETRO², G. BERTUCCIO², P. HOLL³, L. STRUDER³ et J. KEMMER<sup>4

1</sup>  Brookhaven Nat. Lab., Upton, NY 11973, U.S.A.
²  Politecnico di Milano, Dipartimento di Elettronica e Centro di Elettronica Quantistica e Strumentazione Elettronica CNR, P.za Leonardo da Vinci 32, I-20133 Milano, Italy
³  Max-Planck-Institut, Fohringer Ring 6, D-8000 München, F.R.G.
⁴  TU München, 8048 Garching and MBB GmbH, Postfach 801149, D-8000 München 80, F.R.G.

Résumé
On présente le projet d'une nouvelle classe de transistors à effet de champ à jonction JFETs, conçue pour l'intégration sur le wafer à haute resistivité d'un détecteur de radiation complètement en dépletion, et les résultats expérimenteaux obtenus. Ces dispositifs vont rendre possible l'intégration d'un préamplificateur à faible bruit directement sur le détecteur et par conséquent une amélioration de la résolution. Ces nouveaux JFETs ont été projetés pour obtenir un g_m/C_G de 500 MHz et on a mesuré pour eux un g_m/I_D de 1/850 mV^-1 et un pinch-off de 1.5 V.

Abstract
The design and the experimental results of a new class of JFETs, suitable for integration on the high resistivity wafer of a fully depleted radiation detector, are presented. These devices will make possible the integration of a low noise preamplifier directly on the detector, improving the achievable resolution. The new JFET has a measured g_m/I_D of 1/850 mV^-1, a pinch-off of 1.5V and a designed g_m/C_G of 500 MHz.