HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR, PHYSICAL ANALYSIS AND NEW STRUCTURES

Résumé
Les principaux phénomènes physiques qui se produisent dans les MODFET conventionnels AlGaAs/GaAs sont décrits brièvement : structures quantiques, propriétés de transport - influence du champ électrique. La modélisation des composants permet d'obtenir des informations très utiles sur leur fonctionnement et les principaux effets physiques qui interviennent tout en permettant d'en prévoir les performances. Les problèmes posés par les réalisations technologiques ou le fonctionnement dans des conditions particulières (haute température, grande puissance) sont examinés. On décrit les nouvelles structures telles que les MODFET inversés, les SISFET et les MODFET à couches pseudomorphiques ainsi que leurs performances potentielles.

Abstract
Physical phenomena that occur in conventional AlGaAs-GaAs MODFETs are briefly described. This covers quantum effects, carrier transport properties, influence of electric field... Progress in device modeling allow to obtain valuable information on device behaviour as well as various intervening physical effects and to predict the performance. Limitations resulting from both technological imperfections and specific device operations, e.g. low temperature, large power, are investigated. New structures such as inverted MODFET, SISFET, and pseudomorphic MODFETs are described and their potential capabilities are discussed.