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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-115 - C4-123 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988424 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-115-C4-123
DOI: 10.1051/jphyscol:1988424
TRENDS IN INDIUM PHOSPHIDE MICROELECTRONICS
A. SCAVENNECLaboratoire de Bagneux, Centre National d'Etudes des Télécommunications, 196, Av. Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Parallèlement à l'optoélectronique 1,3 - 1,5 µm, et grâce à des propriétés de transport électroniques remarquables, une microélectronique sur les matériaux à base de InP se développe actuellement. Après quelques rappels sur les propriétés des matériaux InP et GaInAs, les diverses structures de transistors actuellement étudiées sont décrites, avec leurs mérites respectifs. Une analyse est ensuite présentée, portant sur les évolutions technologiques et les domaines d'application.
Abstract
Together with 1,3 - 1,5 µm optoelectronics, a microelectronic technology is presently developing on InP-based materials, owing to their remarkable transport properties. After general considerations on InP and GaInAs properties, various transistor structures are presented and their comparative merits discussed. This is followed by an analysis of current trends in technology and fields of applications.