CHARGE PUMPING IN SILICON ON INSULATOR STRUCTURES USING GATED P-I-N DIODES

Résumé
Nous présentons une extension de la technique de pompage de charge sur des diodes P⁺IN⁺ à grille de contrôle, fabriquées sur silicium sur isolant. Cette méthode nous permet d'accéder aux propriétés des interfaces des structures SOS et SIMOX, tout en évitant l'utilisation de transistors MOS à 5 contacts. Les mesures effectuées sur SIMOX en pulsant la grille et/ou le substrat révèlent l'existence d'une forte densité d'états d'interface rapides et de pièges volumiques au voisinage de l'oxyde enterré.

Abstract
The extension of the charge pumping technique to gated P⁺IN⁺ diodes fabricated on silicon on insulator is analysed. This method allows us to evaluate the interface properties in SOS and SIMOX structures, without the need for 5-terminal MOS transistors. The experiment, performed on SIMOX films by pulsing both the gate and substrate, reveal the existence of a high density of fast interface states and bulk traps near the buried oxide.