ELECTRON BEAM WRITING ERASURE SWITCHES

Résumé
Dans cet article, nous montrons pour la première fois, qu'il est possible de faire basculer un transistor MOS à grille flottante de l'état passant à l'état bloqué et réciproquement à partir d'une irradiation par faisceau d'électrons dans un microscope électronique à balayage. Nous déterminons l'influence du champ d'extraction sur les rendements de charge positive, et celle de l'état électrique initial de la grille flottante sur le potentiel positif atteint. Ces résultats ouvrent la voie au test et à la reconfiguration de circuits intégrés par le seul faisceau d'électrons.

Abstract
In this paper, it is shown for the first time that an electron beam is able to switch an oxide embedded floating gate MOS transistor from the on to the off state and inversely. These experiments are achieved in a classical Scanning Electron Microscope. We derive the influence of : i) the extraction voltage on the positive charging yield, ii) the initial floating gate voltage on its final positive voltage. These preliminary results open the way to future e-beam testing and reconfiguration method of integrated circuits.