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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-333 - C4-336 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988470 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-333-C4-336
DOI: 10.1051/jphyscol:1988470
GaSb AND GaInAsSb PHOTODETECTORS FOR λ > 1.55 µm PREPARED BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
G. BOUGNOT, F. PASCAL, F. ROUMANILLE, J. BOUGNOT, L. GOUSKOV, F. DELANNOY, P. GROSSE et H. LUQUETCentre d'Electronique de Montpellier (CNRS-UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Des couches de GaSb de type p et n ont été élaborées par dépôt en phase vapeur à partir d'organométalliques (MOCVD) sur des substrats de GaSb et de GaAs semi-isolant ; les plus faibles niveaux de dopage obtenus sont p = 2 x 1016cm-3, n = 8 x 1015 cm-3. Des couches de Ga1-xInxAsySb1-y de type p ont aussi été fabriquées par cette méthode avec une composition assurant la photodétection à 2.5µm. Les propriétés des couches et des jonctions obtenues sont décrites.
Abstract
p and n GaSb layers have been grown on GaSb and semi-insulating GaAs substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method ; the lowest doping levels obtained are : p = 2 x 1016 cm-3, n = 8 x 1015cm-3. P type Ga1-xInxAsySb1-y layers have also been fabricated by MOCVD with a composition insuring the photodetection at a wavelength of 2.5µm. The properties of the layers and of the as grown junctions are described.