OPERATION OF MAJORITY AND MINORITY CARRIER MOSFET'S AT LIQUID HELIUM TEMPERATURE

Résumé
L'opération de transistors MOS "à porteurs majoritairs" ou en "mode d'accumulation" à température de hélium liquide est rapportée et comparée avec MOSFET's normaux (à porteurs minoritaires). Les effets adverses "kink/hysteresis" sont absents, tandis que les niveaux de courant sont très comparables. Cela offre une alternative pour CMOS cryogène : tenant compte de certaines réserves, une technologie CMOS "sans-caisson" basée sur n⁺nn⁺ et p⁺np⁺ MOSFET's dans une plaque de type n est une façon d'éviter les anomalies d'un Si-MOSFET à basse température.

Abstract
The operation of "accumulation mode" or "majority carrier" MOS transistors at liquid helium temperature is reported and compared with normal (minority carrier) MOSFET's. The adverse kink/hysteresis effects are absent, while the current levels are highly comparable. This offers an alternative for cryogenic CMOS : under certain reserves, a well-less CMOS technology based on n⁺nn⁺ and p⁺np⁺ MOSFET's in a n-type substrate is a way to avoid the Si-MOSFET cryogenic anomalies.