| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-717 - C4-720 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884151 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-717-C4-720
DOI: 10.1051/jphyscol:19884151
1 Institute of Semiconductor Electronics, Sommerfeldstrasse, D-5100 Aachen, F.R.G.
2 Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, AM Arbor, MI 48109-2122, U.S.A.
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-717-C4-720
DOI: 10.1051/jphyscol:19884151
GaInAs CAMEL DIODES GROWN BY MBE
M. MARSO1, A. CHIN2, P. BHATTACHARYA2 et H. BENEKING11 Institute of Semiconductor Electronics, Sommerfeldstrasse, D-5100 Aachen, F.R.G.
2 Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, AM Arbor, MI 48109-2122, U.S.A.
Résumé
Cet article présente les caractéristiques d'une diode du type "camel", fabriqué en GaInAs sur substrat InP, avec un facteur d'idéalité de 1,6 à 1,7. La hauteur de barrière de potentiel est 0,44 eV. Des mesures à inversion de courant montrent l'absence de temps d'emmagasinage et un retard à la descente de 660 à 740 ps pour une diode de 50 µm * 50 µm.
Abstract
In this paper we present a camel diode in GaInAs on a InP-substrate with an ideality factor of 1.6 - 1.7. The barrier height is 0.44 eV. Switching measurements show no storage time and a fall time of 660 - 740 ps for a 50 µm * 50 µm device.