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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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Page(s) | C4-723 - C4-734 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884152 |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-723-C4-734
DOI: 10.1051/jphyscol:19884152
RESIST SCHEMES FOR SUBMICRON OPTICAL LITHOGRAPHY
F. COOPMANS1, 21 IMEC vzw, Kapeldreef 75, 8-3030 Leuven, Belgium
2 COBRAIN nv. De Regenboog 11, B-2800 Mechelen, Belgium
Résumé
Premièrement on essaie d'expliquer pourquoi la lithographie optique avec des résines positives monocouche est aujourd'hui toujours la technique dominante, même pour une résolution submicronique. On indique comment les matériaux et les procédés ont été améliorés pour répondre aux exigences supérieures posées par les méthodes de fabrications avancées. En suite, nous discutons des limitations imposées par l'équipement et les procédés de transfert pour des dimensions de 0.7µm à 0.3µm. De nouveaux systèmes lithographiques doivent être utilisés pour obtenir une performance maximale, des systèmes bi-couche ou pseudo-monocouche sont les mieux adaptés. On compare leurs mérites et des aspects d'implémentation en fabrication.
Abstract
In this paper we will first try to explain why optical lithography with single layer positive resist is still a dominant technology today, even for submicron resolution. To this end we will indicate how the materials and processes have been improved to cope with the more stringent requirements. Next we will look at the future, at feature sizes under 0.7 µm and down to 0.3µm. For these small sizes the limitations imposed by the imaging equipment and the transfer processes call for new resist systems. The type of systems that are most promising are the pseudo monolayer and bilayer systems. Their relative merits are compared, and issues relating to the implementation in fab environments are discussed.