Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
Page(s) C4-709 - C4-712
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884149
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-709-C4-712

DOI: 10.1051/jphyscol:19884149

ON THE MICROWAVE LOW TEMPERATURE ANALYSIS BEHAVIOUR OF HEMTs

A. BELACHE1, A. VANOVERSCHELDE1, G. DAMBRINE1 et M. WOLNY2

1  Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs, CNRS-UA 287, Université des Sciences et Techniques de Lille-Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve-d'Ascq Cedex, France
2  Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3, Av. Descartes, F-94451 Limeil-Brevannes Cedex, France


Résumé
Le comportement du HEMT en régime statique et hyperfréquence est étudié à basse température. L'influence du piégeage des électrons est analysé à l'aide de procédures spécifiques de mesure de la capacité de grille et la résistance drain-source. L'utilisation d'une structure appropriée permet de supprimer les effets parasites telle que la dégradation des caractéristiques I-V. La transconductance micro-onde et la fréquence de coupure sont alors améliorées ; ces résultats sont validés par une simulation numérique du composant.


Abstract
Low temperature behaviour of HEMTs is studied under static and microwave conditions. The influence of trapping effects are analysed by means of a specified measurement procedure of the gate capacitance and drain-source resistance. On an appropriate structure that allows to avoid parasitic phenomena such as collapse, it was found that microwave transconductance and cut-off frequency improve, which is confirmed with numerical results.