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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-705 - C4-708 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884148 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-705-C4-708
DOI: 10.1051/jphyscol:19884148
INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF DX CENTERS ON HEMT OPERATION AT ROOM TEMPERATURE
P. GODTS, E. CONSTANT, J. ZIMMERMANN et D. DEPREEUWCentre Hyperfréquences et Semiconducteurs, CNRS-UA 287, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres Artois, F-59655 Villeneuve-d'Ascq Cedex, France
Résumé
Une étude expérimentale et théorique des Centres DX dans les couches en AlGaAs est présentée. Il est montré qu'à cause des centres DX, à température ambiante, la transconductance hyperfréquence des HEMTs peut être considérablement plus élevée que celle obtenue en régime continu et approche les valeurs qui pourraient être obtenues si les centres DX n'existaient pas. En conséquence, pour des applications à température ambiante, des structures particulières destinées à éliminer les centres DX ne sont pas réellement nécessaires.
Abstract
A study of DX centers in GaAlAs layers is presented, both experimental and theoretical. It is shown that due to DX centers, at room temperature, the microwave transconductance of HEMTs can be considerably higher than that obtained from the DC regime, and approaches the values which could be expected if DX centers did not exist. As a result, for room temperature applications, special structures designed in order to eliminate DX centers are not really necessary.