Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C6, Novembre 1987
34th International Field Emission Symposium / 34ème Symposium International d'Emission de Champ
Page(s) C6-463 - C6-468
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987676
34th International Field Emission Symposium / 34ème Symposium International d'Emission de Champ

J. Phys. Colloques 48 (1987) C6-463-C6-468

DOI: 10.1051/jphyscol:1987676

ATOM PROBE MICROANALYSIS OF THE COLD-GALLIUM ARSENlDE INTERFACE

H.-O. Andrén

Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-412 96 Göteborg, Sweden


Résumé
Des méthodes pour analyser de l'arséniure de gallium en utilisant la sonde atomique à déficits en énergie compensés sont décrites. On a trouvé que la couche d'oxyde qui se forme dans l'air sec consiste en gallium et en oxygène. L'or déposé sur la couche d'oxyde forme des ilots d'or pur. Le dépot d'or sur de l'arséniure de gallium pur conduit à la formation de couches d'un mélange d'or de gallium et d'arsenic, d'une épaisseur comprise entre une fraction de monocouche et plusieurs couches atomiques.


Abstract
Methods for analysis of gallium arsenide using an energy compensated atom probe are described. The oxide layer formed in dry air on gallium arsenide was found to consist of gallium and oxygen, and gold deposited onto the oxide formed small islands of pure gold. Deposition of gold onto clean gallium arsenide resulted in the formation of intermixed gold-gallium-arsenic layers, between a fraction of a monolayer and several monolayers in thickness.