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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-187 - C5-191 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983529 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-187-C5-191
DOI: 10.1051/jphyscol:1983529
PICOSECOND LASER ANNEALING OF IMPLANTED Si AND GaAs : A COMPARATIVE STUDY WITH A RAMAN MICROPROBE
J. Sapriel, Y.I. Nissim et J.L. OudarC.N.E.T. Laboratoire de Bagneux, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Les transformations résultant de l'irradiation par laser picoseconde du Si et de GaAs rendu amorphe par implantation sont étudiées. Il résulte de l'irradiation dans les deux matériaux la formation d'une tache multiannulaire. L'étude de ces taches est faite à l'aide d'une microsonde Raman ayant une résolution spatiale de 1 µm. Les taches sont constituées d'une alternance d'anneaux cristallins et amorphe dans le cas du silicium. Dans le cas de GaAs les transitions sont plus atténuées entre des anneaux a tendance cristalline et des anneaux à tendance amorphe. Un processus de fusion-resolidification multiple pendant la durée de l'irradiation pourrait expliquer la formation de ces structures.
Abstract
The transformation of implanted amorphous Si and GaAs induced by a single pulse of a picosecond laser is studied. In both materials a clear multiannular pattern was produced by the irradiation. The different patterns have been investigated by scanning the surface with a 1 µm spatial resolution Raman microprobe. Sharp transitions between amorphous and cristalline rings are observed for Si. In GaAs the transitions are smoother beetween nearly amorphous and nearly crystalline rings. A multiple melting-resolidification process within the laser pulse duration could explain the formation of these patterns.