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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-75 - C5-79 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984510 | |
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-75-C5-79
DOI: 10.1051/jphyscol:1984510
1 C.N.E.T., Laboratoire de BagneuxLaboratoire associé au C.N.R.S. (LA 250), 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
2 C.N.E.T., Laboratoire de Bagneux, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
3 Israel Institute of Technology, Haïfa 32000, Israel
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-75-C5-79
DOI: 10.1051/jphyscol:1984510
RAMAN VIBRATIONAL STUDIES OF TRANSIENT ANNEALING OF GaAs AMORPHOUS THIN FILMS
J. Sapriel1, Y.I. Nissim2, B. Joukoff2, J.L. Oudar2, S. Abraham3 et R. Beserman31 C.N.E.T., Laboratoire de BagneuxLaboratoire associé au C.N.R.S. (LA 250), 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
2 C.N.E.T., Laboratoire de Bagneux, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
3 Israel Institute of Technology, Haïfa 32000, Israel
Résumé
Des couches endommagées par implantation ionique, à forte dose, dans GaAs ont été reconstruites à l'aide d'un laser Ruby pulsé (nsec), d'un laser Nd-YAG pulsé (psec) ou d'un système de lampes à halogène. La reconstruction du réseau cristallin par ces différentes techniques de recuit rapide est étudiée par diffusion Raman des phonons.
Abstract
A nanosecond pulsed ruby laser, a picosecond pulsed Nd-YAG laser and a set of halogen lamps are used to induce the reconstruction of the damage layer obtained by high dose ion implantation in single crystal GaAs. The lattice reconstruction by these different rapid irradiation sources has been examined by Raman scattering from the phonons.