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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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Page(s) | C5-193 - C5-195 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983530 |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-193-C5-195
DOI: 10.1051/jphyscol:1983530
RAMAN STUDIES OF THE P LOCAL MODE VIBRATION IN P IMPLANTED, LASER ANNEALED Ge
G. Contreras1, 2, A. Compaan1, 3 et A. Axmann1, 41 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2 DADD Fellow, on leave from E.S.F.M. - I.P.N. Mexico
3 Von Humboldt Foundation Fellow, on leave from Kansas State University, Dept. of Physics, Cardwell Hall, Manhattan, Kansas 66506, U.S.A.
4 Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Eckerstr. 4, 7800 Freiburg, F.R.G.
Résumé
Nous présentons le spectre Raman des vibrations localisées du phosphore implanté substitutionellement dans le germanium et recuit par laser. Le haut taux de dopage, supérieur à la solubilité dans le volume, permet l'observation de ces spectres de faible intensité. Nous en avons déterminé la variation de la section efficace en fonction de la longueur d'onde du laser.
Abstract
We report the first observation by Raman scattering by the localized vibrational mode of P in P implanted and pulsed laser annealed Ge. The heavy dose ion implantation followed by pulsed laser annealing have allowed us to achieve P densities exceeding the normal solid solubility limits in Ge, a fact which is essential for the local mode observations. We have obtained information about the position and intensity of the P local mode as a function of the implantations dose and its resonant Raman behavior as a function of laser photon energy.