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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-247 - C5-251 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983539 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-247-C5-251
DOI: 10.1051/jphyscol:1983539
ANNEALING OF HIGH DOSE IMPLANTED GaAs WITH HALOGEN LAMPS
Y.I. Nissim1, B. Joukoff2, J. Sapriel2 et N. Duhamel21 C.N. E.T., Laboratoire de BagneuxLaboratoire associé au CNRS (LA 250), 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
2 C.N. E.T., Laboratoire de Bagneux, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Le recuit de GaAs implanté par un système de deux lampes à halogene est présenté. Le confinement de l'échantillon monté entre une plaque de silicium et une plaque de quartz permet d'obtenir une protection par contact. Cette configuration a permis l'étude par diffusion Raman de la reconstruction du réseau cristallin après irradiation ainsi que la limite de dégradation en surface du substrat par perte d'arsenic.
Abstract
The use of radiation from two halogene lamps to anneal implanted GaAs has been studied. Contact protection of the substrate is obtained by mounting it in a sandwich configuration between a silicon and a quartz plate. This configuration allows to measure by Raman scattering lattice recovery after irradiation and substrate surface degradation due to arsenic loss.