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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-479 - C4-483 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983458 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-479-C4-483
DOI: 10.1051/jphyscol:1983458
Laboratoire d'Automatique et de Microélectronique, U.S.T.L., Place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-479-C4-483
DOI: 10.1051/jphyscol:1983458
LA MICROSCOPIE ACOUSTIQUE ET SES APPLICATIONS AUX DEFAUTS DANS LES SEMICONDUCTEURS
J. Attal, J.M. Dandonneau, M. Zahouni et Ly Cong CanLaboratoire d'Automatique et de Microélectronique, U.S.T.L., Place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Un nouveau type de microscope utilisant des hypersons dans la gamme du Gigahertz est décrit dans le présent exposé. Cet instrument permet de visualiser des structures en profondeur dans des solides avec une résolution pouvant atteindre une fraction de micron. Cette technique nouvelle laisse présager de nombreuses applications en contrôle non destructif, des semiconducteurs et métaux ou en génie biologique et médical.
Abstract
A new kind of microscope using, ultrasounds in the Gigahertz range is described. This instrument can show up structures in depth with a lateral resolution better than one micron. Such a technique appears as a unique way to investigate, semiconductors, metals and biological tissue in non destructive testing.