| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-485 - C4-487 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983459 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-485-C4-487
DOI: 10.1051/jphyscol:1983459
The Research Institute for Iron, Steel and Other Metals, Tohoku University, Sendai 980, Japan
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-485-C4-487
DOI: 10.1051/jphyscol:1983459
PHOTOACOUSTIC SPECTROSCOPY OF DISLOCATED SILICON CRYSTALS
M. SuezawaThe Research Institute for Iron, Steel and Other Metals, Tohoku University, Sendai 980, Japan
Résumé
La spectroscopie photo-acoustique est brièvement étudiée ici. Celle-ci est un moyen efficace de détecter des processus de recombinaisons non radiatives ayant lieu dans des semi-conducteurs.
Abstract
A brief review is presented of photoacoustic spectroscopy, which is an effective means to detect non-radiative recombination processes.