Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
Page(s) C4-113 - C4-113
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983413
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors

J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-113-C4-113

DOI: 10.1051/jphyscol:1983413

ELECTRICAL TRANSPORT IN THE DISLOCATION CORE

R. Labusch

Institut für Angewandte Physik der TU Clausthal, D-2392 Clausthal-Zellerfeld, F.R.G.


Résumé
Partant de notre connaissance limitée de la structure de coeur et des niveaux électroniques des dislocations dans les semiconducteurs, ainsi que d'une analyse théorique nous concluons qu'un phénomène de conduction uni-dimensionnelle dans le coeur des dislocations peut exister dans certains cas. Les problèmes posés par sa mise en évidence expérimentale sont discutés. Ce type de conduction a été observé par des mesures en ondes micrométriques, par des mesures en courant continu avec des contacts microscopiques sur des dislocations individuelles et par l'anisotropie électrique des échantillons déformés. Ces résultats et leur signification sont analysés.


Abstract
From our limited knowledge about the core structure and the electronic levels of dislocations in semiconductors and from a theoretical analysis we arrive at the conclusion that one-dimensional conduction in the dislocation core may be expected in a few cases. The problems of experimental detection are discussed. Evidence for this kind of conduction has been obtained or claimed so far from microwave measurements, from D.C.-measurements with microscopie contacts at single dislocations and from the electrical anisotropy of deformed specimens. The results of these measurements and their significance are analysed.