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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-103 - C4-111 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983412 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-103-C4-111
DOI: 10.1051/jphyscol:1983412
Institute of Solid State Physics of the U.S.S.R. Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, U.S.S.R.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-103-C4-111
DOI: 10.1051/jphyscol:1983412
DISLOCATION ELECTRON SPECTRUM AND THE MECHANISM OF DISLOCATION MICROWAVE CONDUCTION IN SEMICONDUCTORS
Yu.A. OssipyanInstitute of Solid State Physics of the U.S.S.R. Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, U.S.S.R.
Résumé
Un modèle du spectre d'énergie introduit par les dislocations est décrit. Ce modèle résulte des études expérimentales d'effet des dislocations sur la conduction et la photo-ESR. Une méthode de dopage par irradiation aux neutrons a été utilisée pour étudier le mécanisme de conduction par les dislocations.
Abstract
The model of the dislocation energy spectrum of electrons in germanium and silicon has been treated. The model follows from the results of the experimental study of the dislocation conduction and the photo-ESR. The method of doping with neutron irradiation is employed to investigate the dislocation conduction mechanism.