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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-141 - C4-147 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983417 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-141-C4-147
DOI: 10.1051/jphyscol:1983417
HYDROGENATION EFFECTS ON RADIATIVE RECOMBINATION IN TWISTED SILICON
D. GwinnerInstitut für Angewandte Physik, TV Clausthal, Clausthal-Zellerfeld, F.R.G., und SFB 126, Göttingen-Clausthal, der Deutschen Forschungsgemeinschaft
Résumé
Des monocristaux de silicium déformés par torsion, à haute température (1270K, 240°/cm, 90 mn), montrent une résonance paramagnétique électronique faible, avec une valeur typique de g égale à 2,0043. Elle est attribuée aux liaisons pendantes isolées dans le coeur des dislocations reconstruites. L'introduction d'atomes d'hydrogène après déformation conduit en partie à l'extinction du signal de photoluminescence. Une des émissions principales (0,81eV) et une autre plus faible à 0,84eV restent inchangées en intensité, tandis que la raie à 0,87eV est augmentée. La corrélation entre la raie à 0,81 eV et les états créés par la dislocation est discutée.
Abstract
High temperature twisted silicon single crystal (1270K, 240°/cm, 90 min) exhibit a structureless weak electron paramagnetic resonance with a typical g-value of 2.0043. It is attributed to isolated dangling bonds in the cores of reconstructed dislocations. Incorporation of hydrogen atoms after deformation partly leads to the extinction of photoluminescence signals. One of the main emission (0.81eV) and a weaker one at 0.84eV remain unchanged in intensity, while the 0.87eV-line is enhanced. The correlation of the 0.81eV-signal to dislocation states is discussed.