Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
Page(s) C5-3 - C5-10
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982501
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material

J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-3-C5-10

DOI: 10.1051/jphyscol:1982501

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF InxGa1-xAs/ InP NEAR SOLID INSTABILITY

M.C. Joncour, J.L. Benchimol, J. Burgeat et M. Quillec

Centre National d'Etudes des Télécommunications, PAB/PMS/SPD, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France


Résumé
On étudie l'influence du substrat InP sur la croissance à partir de la phase liquide de couches de ternaire InxGa1-xAs. Les résultats expérimentaux mettent en évidence cette influence tant pour la croissance sur des substrats d'orientation (001) que (111) B. L' interprétation est faite à 1'aide du modèle des solutions simples en prenant en compte 1'énergie élastique due à la présence du substrat. Cependant, si ce modèle assure une bonne description de la croissance épitaxiale sur un substrat (001), une prise en compte de la cinétique semble nécessaire pour décrire la croissance sur un substrat (111).


Abstract
The influence of the InP substrat on InxGa1-xAs liquid phase epitaxial layers in the vicinity of the critical temperature is analysed. This influence is clearly proved for both (001) and (111) B growth orientation, and interpreted by means of the simple solution model, taking into account the strain energy induced by the substrate. Although this model gives a good description of epitaxial growth on (001) substrates, it seems necessary to include growth dynamics in (111) growth description.