Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-81 - C6-86
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979617
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-81-C6-86

DOI: 10.1051/jphyscol:1979617

RECOMBINATION OF NONEQUILIBRIUM CARRIERS IN THE PRESENCE OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS

R. Labusch

Institut für Angewandte Physik der TU Clausthal und SFB 126 Göttingen - Clausthal, F.R.G.


Résumé
Le problème général de la recombinaison est réduit à une chaîne de processus caractérisés chacun par une simple décroissance exponentielle et une constante de temps unique. Les constantes de temps sont calculées pour les spectres de niveaux de dislocation qui semblent plausibles. Dans le cas d'un exemple spécifique on compare cette chaîne de processus avec des valeurs expérimentales obtenues dans le Ge, et on identifie les mécanismes de recombinaison.


Abstract
The general recombination problem is reduced to a set of processes with a simple exponential decay and a single time constant. The time constants are calculated for those spectra of dislocation levels that appear to be possible. In a specific example this set is compared with experimental values of Ge and the recombination mechanisms are identified.