| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C6-87 - C6-89 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979618 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-87-C6-89
DOI: 10.1051/jphyscol:1979618
PHOTOCONDUCTIVITY PRODUCED BY POLARIZED LIGHT IN PLASTICALLY DEFORMED Ge
E. KamienieckiInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland
Résumé
On discute le spectre caractéristique de photoconductivité, d'absorption et de recombinaison radiative due aux "dislocations à 60°" dans le Ge. On présente un modèle de deux niveaux des "dislocations à 60°" dans le Ge. Le niveau supérieur A, introduit par les contraintes est situé environ 0,1 eV au dessous de la bande de conduction. Le niveau inférieur I, situé environ 0,1 eV au dessus de la bande de valence peut être attribué aux liaisons brisées des dislocations. On a montré que les densités de niveaux A et I sont différents pour différentes régions des dislocations.
Abstract
The characteristic spectra of the photoconductivity, absorption and radiative recombination due to "60°-dislocations" in Ge are discussed. A two-level model of the "60°-dislocation" in Ge is inferred. The upper, stress induced, A-level is located about 0.1 eV below the conduction band edge. The lower one, I-level, located about 0.1 eV above the valence band edge may be attributed to dangling dislocation bonds. It is shown that the densities of A and I states differ for different regions of dislocations.