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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-783 - C4-786 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884164 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-783-C4-786
DOI: 10.1051/jphyscol:19884164
OXIDE DEGRADATION AND BREAKDOWN IN STRESSED MOS CAPACITORS
I. PLACENCIA, J. SUÑÉ, N. BARNIOL, E. FARRÉS et X. AYMERICHCentro Nacional de Microelectrónica, Departamento de Física, Universidad Autónoma de Barcelona, SP-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Résumé
Un nouveau model qui relatione les phénomènes de dégradation et de rupture de couches minces de SiO2 dans des dispositifs MOS a été présenté. Le point principal de ce model c'est que la vitesse de génération de pièges d'électrons est proportionnelle à l'énergie dissipée dans la couche d'oxyde. Dans ce scheme, l'évolution expérimentale de la tension appliquée en expériences de stress à courant constant et la relation quasi-linearie entre log (temps de rupture) et log (densité de courant) ont été prédites.
Abstract
A new model that relates the degradation and breakdown phenomena of SiO2 films has been presented. The crux of the model is that the trap generation rate is proportional to the energy lost by the electrons by interaction with the SiO2 lattice. In this framework, the experimental evolution of the applied voltage in constant-current stress experiments and the quasi-linear relationship between log (time-to-breakdown) and log (current density) have been predicted.