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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-549 - C4-553 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884115 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-549-C4-553
DOI: 10.1051/jphyscol:19884115
AN ANALYSIS OF THE ADVANTAGES OF A BOX ISOLATION TECHNIQUE
E. FIGUERAS1, S. HAZEBROUCK2 et F. VAN DE WIELE21 Centro Nacional de Microelectrónica, CSIC-UAB, Universitat Autònoma de Barcelona, SP-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
2 Université Catholique de Louvain, Laboratoire de Microélectronique, Place du Levant, 3, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium
Résumé
Dans ce papier nous présentons un procédé BOX et les résultats électriques obtenus avec cette technique. Il utilise un contre-masque de polysilicium plutôt que d'utiliser un procédé avec une double couche de résine. Les caractéristiques électriques des transistors parasites, le courrant de fuite des diodes avec périmètres variables et la variation de la largeur de canal sont presentés.
Abstract
In this paper we present a BOX process and the electrical results obtained with this technique, in which a polysilicon counter-mask is used instead of a double resist layer to perform the field oxide. The electrical characteristics of active and parasitic transistors, the leakage current measured on diodes with various perimeters and the channel width measurements are presented.