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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-233 - C4-241 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983428 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-233-C4-241
DOI: 10.1051/jphyscol:1983428
LUMINESCENCE AND DEEP LEVEL STUDIES OF LINE DISLOCATIONS IN GALLIUM PHOSPHIDE
B. Hamilton1, A. R. Peaker1 et D. R. Wight21 Department of Electrical Engineering and Electronics, UMIST, U.K.
2 R.S.R.E., Malvern, U.K.
Résumé
Les durées de vie des porteurs et des niveaux profonds ont été mesurées par décroissance de la luminescence sur du Gap de type-n non dopé. Les mesures ont été effectuées sur des régions de densité de dislocation variable en vue de mettre en évidence des signatures de niveaux profonds qui pourraient être associées aux dislocations et aux recombinaisons non radiatives efficaces associées à ces défauts.
Abstract
Luminescence decay measurements of carrier lifetime and deep level measurements have been made on undoped n-type Gap. Regions of varying dislocations density have been measured in an attempt to investigate deep level signatures which may be associated with dislocations and with the efficient non-radiative recombination associated with these defects.