DEEP LEVEL DEFECTS IN PLASTICALLY DEFORMED SILICON

Résumé
La déformation plastique du silicium engendre la formation d'amas de dislocations et de défauts ponctuels de différentes sortes. Ces défauts peuvent être électriquement actifs, et créer des niveaux d'énergie profonds. Les mesures de RPE permettent de déterminer la symétrie des centres paramagnétiques introduits par déformation, et donc d'établir une distinction entre les spectres associés aux dislocations et aux défauts ponctuels. Les spectres de DLTS et de photo-luminescence peuvent être corrélés avec des défauts spécifiques caractérisés en RPE, pour différents échantillons déformés. Ces résultats permettent de tirer les conclusions sur la nature et les conditions de formation des défauts ponctuels, et sur les défauts électriquement actifs réellement associés aux dislocations dans le silicium.

Abstract
Plastic deformation of silicon results in the formation of dislocations and point defect clusters of various kinds. These defects can be electrically active, forming deep energy levels. EPR experiments allow to determine the symmetry of deformation induced paramagnetic centers and thus a distinction between dislocation and point defect related spectra. DLTS and photo-luminescence spectra can be correlated with specific defects characterized by EPR, using variously deformed samples. These results allow to draw conclusions on the nature and formation conditions of point defects and truly dislocation-related electrically active defects in silicon.